Zeitschriftenartikel:
K. Tselios, D. Waldhör, B. Stampfer, J. Michl, E. Ioannidis, H. Enichlmair, T. Grasser, M. Waltl:
"On the Distribution of Single Defect Threshold Voltage Shifts in SiON Transistors";
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (eingeladen),
91
(2021),
2;
S. 199
- 206.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TDMR.2021.3080983
Elektronische Version der Publikation:
https://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2021/JB2021_Tselios_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.