Zeitschriftenartikel:
C. Schleich, D. Waldhör, K. Waschneck, M. Feil, H. Reisinger, T. Grasser, M. Waltl:
"Physical Modeling of Charge Trapping in 4H-SiC DMOSFET Technologies";
IEEE Transactions on Electron Devices,
68
(2021),
8;
S. 4016
- 4021.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2021.3092295
Elektronische Version der Publikation:
https://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2021/JB2021_Schleich_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.