Zeitschriftenartikel:
T. Knobloch, U. Burkay, Yu. Illarionov, Z. Wang, M. Otto, L. Filipovic, M. Waltl, D. Neumaier, M. Lemme, T. Grasser:
"Improving Stability in Two-Dimensional Transistors with Amorphous Gate Oxides by Fermi-Level Tuning";
Nature Electronics,
5
(2022),
S. 356
- 366.
Schlagworte:
2D Materials, Electronic Devices
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1038/s41928-022-00768-0
Elektronische Version der Publikation:
https://publik.tuwien.ac.at/files/publik_304555.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.